SK 海力士目标 2028 年将 High NA EUV 技术用于 DRAM 内存量产

据外媒路透社此前消息，SK 海力士对外发布声明称，该企业计划在 2028 年把高数值孔径 EUV 光刻图案化工艺应用到 DRAM 内存的规模化量产中。

ASML 于当地时间本月 8 日正式宣布，将与台积电、三星电子以及英特尔携手合作，推动高数值孔径 EUV 生态系统向面积更大的 12 英寸掩膜（光罩）过渡。SK 海力士当前正在评估是否要加入这一合作联盟。

IT之家观察到，三星电子在同一天发布的新闻稿中明确表示，该公司计划在 2028 年将高数值孔径 EUV 技术用于先进 DRAM 内存的大规模生产。而美光曾透露，其计划为第 7 代 10nm 级 DRAM 工艺 1δ (1-delta) 引入最新一代的 EUV 光刻设备。皇冠体育网站注意到，这一技术路线竞争已愈发激烈。